Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/8701
Title: Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга
Other Titles: The creation of an electronic memory device with properties similar to organic synapse
Authors: Bobylev, A. N.
Udovichenko, S. Yu.
Бобылев, А. Н.
Удовиченко, С. Ю.
Keywords: reactive magnetron sputtering
memristor
synapse
реактивное магнетронное распыление
мемристор
синапс
Issue Date: 2015
Publisher: Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
Citation: Бобылев, А. Н. Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга / А. Н. Бобылев, С. Ю. Удовиченко. – Текст : электронный // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники / главный редактор В. М. Рулевский. – Томск : Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, 2015. – № 4 (38). – С. 68-71.
Abstract: The paper is devoted to research in the field of solid-state neuromorphic electronics. The requirements for stability and reproducibility of the characteristics of solid-state analogues of synapses - memristors and meeting these requirements devices fabrication methods are discussed. The experiment of obtaining multilayer thin-film electronic device based on mixed metal oxide Al:TiO 2 and its results are described. The current-voltage curves of the obtained solid element are presented and significant non-linearity of these CVCs is noted. Time-dependent effects in memristor switching process are described. The organic synapse properties reproduced in solid element and possibility of the fabricated device usage as a summing element of an artificial neuron are described.
Статья посвящена исследованию в области твердотельной нейроморфной электроники. Затронуты требования к стабильности и воспроизводимости характеристик твердотельных аналогов синапсов-мемристоров и способы получения устройств, соответствующих этим требованиям. Описываются результаты эксперимента по получению тонкопленочного электронного устройства на основе смешанного оксида металлов Al:TiO 2. Представлены вольт-амперные характеристики твердотельного элемента и отмечена существенная нелинейность этих характеристик. Описаны зависящие от времени эффекты в процессах переключения мемристора. Указаны свойства живых синапсов, воспроизведенные в твердотельном элементе, и возможность использования полученного мемристора, как суммирующего элемента искусственного нейрона.
URI: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/8701
ISSN: 1818-0442
Source: Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2015. – № 4 (38)
Appears in Collections:Научные сборники, статьи, препринты

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
dtgusuir2015_4_68_71.pdf378.59 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.