Issue Date | Title | Author(s) |
2019 | Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара – основы аппаратной реализации нейропроцессора | Pisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Ebrahim, A. H.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Ибрагим, А. Х.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю. |
2020 | Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессора | Pisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю. |
2017 | Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства | Pisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю. |
2015 | Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга | Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю. |
2021 | Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипа | Sozonov, M. V.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Kislitsyn, A. A.; Созонов, М. В.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Кислицын, А. А. |
2019 | Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре | Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. H.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х. |
2021 | Численное моделирование и экспериментальное исследование аппаратной импульсной нейросети с мемристорными синапсами | Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Pisarev, A. D.; Udovichenko, S. Yu.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Писарев, А. Д.; Удовиченко, С. Ю. |