Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
Title: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства
Other Titles: Combined Memristor-Diode Crossbar as a Memory Storage Base
Authors: Alexander, D. Pisarev
Писарев, Александр Дмитриевич
Бусыгин, Александр Николаевич
Бобылев, Андрей Николаевич
Удовиченко, Сергей Юрьевич
Alexander, N. Busygin
Sergey, Yu Udovichenko
Andrey, N. Bobylev
Keywords: memristor;диод Зенера;мемристор;комбинированный кроссбар;SPICE;memory matrix;Zener diode;composite crossbar;SPICE-моделирование;запоминающая матрица
Issue Date: 2017
Citation: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства / А. Д. Писарев [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. - 2017. - Т. 3, № 4. - С. 142-149.
metadata.dc.relation.ispartof: Вестник ТюмГУ: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. 2017. Том 3 №4
Abstract: Представлена топология и технология изготовления нового компонента электроники — комбинированного кроссбара, включающего активный мемристорный слой и полупроводниковый слой диодов Зенера. Оба слоя, как и проводящие дорожки, могут изготавливаться простым промышленным способом — в магнетронном технологическом модуле. Моделирование процесса записи в ячейки комбинированного кроссбара показывает, что добавление диода Зенера увеличивает энергоэффективность. Новый компонент электроники позволяет изготавливать планарные и 3D сверхбольшие запоминающие устройства, которые могут быть использованы при создании нейроморфного процессора — инновационного продукта в . This article presents the topology and manufacturing technology of the composite crossbar. A new electronics component includes an active memristive layer and a semiconductor layer of Zener diode. The layers and conductors can be manufactured in a simple industrial way — in a magnetron technological module. Simulation of the write operation in the cells of the composite crossbar shows that application of Zener diode improves energy efficiency. The new electronics component allows to create planar and 3D ultra large memory devices which can be part of a neuromorphic processor.
URI: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
Appears in Collections:Вестник ТюмГУ: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика

Files in This Item:
File SizeFormat 
142_149.pdf403,68 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.