Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
Title: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства
Other Titles: Combined memristor-diode crossbar as a memory storage base
Authors: Pisarev, A. D.
Busygin, A. N.
Bobylev, A. N.
Udovichenko, S. Yu.
Писарев, А. Д.
Бусыгин, А. Н.
Бобылев, А. Н.
Удовиченко, С. Ю.
Keywords: memristor
SPICE
memory matrix
Zener diode
composite crossbar
диод Зенера
мемристор
комбинированный кроссбар
SPICE-моделирование
запоминающая матрица
Issue Date: 2017
Publisher: Издательство Тюменского государственного университета
Citation: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства / А. Д. Писарев [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика / главный редактор А. Б. Шабаров. – Тюмень : Издательство Тюменского государственного университета, 2017. – Т. 3, № 4. – С. 142-149.
Abstract: This article presents the topology and manufacturing technology of the composite crossbar. A new electronics component includes an active memristive layer and a semiconductor layer of Zener diode. The layers and conductors can be manufactured in a simple industrial way – in a magnetron technological module. Simulation of the write operation in the cells of the composite crossbar shows that application of Zener diode improves energy efficiency. The new electronics component allows to create planar and 3D ultra large memory devices which can be part of a neuromorphic processor.
Представлена топология и технология изготовления нового компонента электроники – комбинированного кроссбара, включающего активный мемристорный слой и полупроводниковый слой диодов Зенера. Оба слоя, как и проводящие дорожки, могут изготавливаться простым промышленным способом – в магнетронном технологическом модуле. Моделирование процесса записи в ячейки комбинированного кроссбара показывает, что добавление диода Зенера увеличивает энергоэффективность. Новый компонент электроники позволяет изготавливать планарные и 3D сверхбольшие запоминающие устройства, которые могут быть использованы при создании нейроморфного процессора – инновационного продукта в IT.
URI: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
ISSN: 2411-7978
2500-3526
Source: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2017. – Т. 3, № 4
Appears in Collections:Вестник ТюмГУ: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
142_149.pdf403.68 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.