Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
Название: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства
Другие названия: Combined memristor-diode crossbar as a memory storage base
Авторы: Pisarev, A. D.
Busygin, A. N.
Bobylev, A. N.
Udovichenko, S. Yu.
Писарев, А. Д.
Бусыгин, А. Н.
Бобылев, А. Н.
Удовиченко, С. Ю.
Ключевые слова: memristor
SPICE
memory matrix
Zener diode
composite crossbar
диод Зенера
мемристор
комбинированный кроссбар
SPICE-моделирование
запоминающая матрица
Дата публикации: 2017
Издатель: Издательство Тюменского государственного университета
Библиографическое описание: Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства / А. Д. Писарев [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика / главный редактор А. Б. Шабаров. – Тюмень : Издательство Тюменского государственного университета, 2017. – Т. 3, № 4. – С. 142-149.
Аннотация (реферат): This article presents the topology and manufacturing technology of the composite crossbar. A new electronics component includes an active memristive layer and a semiconductor layer of Zener diode. The layers and conductors can be manufactured in a simple industrial way – in a magnetron technological module. Simulation of the write operation in the cells of the composite crossbar shows that application of Zener diode improves energy efficiency. The new electronics component allows to create planar and 3D ultra large memory devices which can be part of a neuromorphic processor.
Представлена топология и технология изготовления нового компонента электроники – комбинированного кроссбара, включающего активный мемристорный слой и полупроводниковый слой диодов Зенера. Оба слоя, как и проводящие дорожки, могут изготавливаться простым промышленным способом – в магнетронном технологическом модуле. Моделирование процесса записи в ячейки комбинированного кроссбара показывает, что добавление диода Зенера увеличивает энергоэффективность. Новый компонент электроники позволяет изготавливать планарные и 3D сверхбольшие запоминающие устройства, которые могут быть использованы при создании нейроморфного процессора – инновационного продукта в IT.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15327
ISSN: 2411-7978
2500-3526
Источник: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2017. – Т. 3, № 4
Располагается в коллекциях:Вестник ТюмГУ: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
142_149.pdf403.68 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.