Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройства

Abstract

This article presents the topology and manufacturing technology of the composite crossbar. A new electronics component includes an active memristive layer and a semiconductor layer of Zener diode. The layers and conductors can be manufactured in a simple industrial way – in a magnetron technological module. Simulation of the write operation in the cells of the composite crossbar shows that application of Zener diode improves energy efficiency. The new electronics component allows to create planar and 3D ultra large memory devices which can be part of a neuromorphic processor.

Представлена топология и технология изготовления нового компонента электроники – комбинированного кроссбара, включающего активный мемристорный слой и полупроводниковый слой диодов Зенера. Оба слоя, как и проводящие дорожки, могут изготавливаться простым промышленным способом – в магнетронном технологическом модуле. Моделирование процесса записи в ячейки комбинированного кроссбара показывает, что добавление диода Зенера увеличивает энергоэффективность. Новый компонент электроники позволяет изготавливать планарные и 3D сверхбольшие запоминающие устройства, которые могут быть использованы при создании нейроморфного процессора – инновационного продукта в IT.