Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/21379
| Название: | Electrical conductivity of semiconductors |
| Другие названия: | Электропроводность полупроводников |
| Авторы: | Лигуз, Н. В.
Гаркуша, Н. А.
Liguz, N. V.
Garkusha, N. A. |
| Ключевые слова: | полупроводники
проводимость
диоды
электроны
дырки
p-n-переход
semiconductors
conductivity
diodes
electrons
holes
p-n junction |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Кафедра иностранных языков и межкультурной профессиональной коммуникации естественнонаучных направлений Тюменского государственного университета |
| Библиографическое описание: | Лигуз, Н. В. Electrical conductivity of semiconductors = Электропроводность полупроводников / Н. В. Лигуз, Н. А. Гаркуша. — Текст : электронный // Language & Science / главный редактор О. Э. Сухарева ; научный редактор Е. А. Меньш ; Тюменский государственный университет. — 2018. — № 7. |
| Аннотация (реферат): | Основная цель данной статьи – изучить структуру и свойства полупроводников на молекулярном уровне. В тексте рассматриваются условия для возникновения проводимости, влияние внешних факторов на связи в кристаллической решётке. Описана работа p-n перехода.
The main purpose of this article is to study the structure and properties of semiconductors at the molecular level. The conditions for the occurrence of conductivity and the influence of external factors on the bonds in the crystal lattice are considered in the text. The work of p-n transition is described. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/21379 |
| Источник: | Language & Science. – 2018. – № 7 |
| Располагается в коллекциях: | Language & Science
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
Skip navigation