Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/21379
| Title: | Electrical conductivity of semiconductors |
| Other Titles: | Электропроводность полупроводников |
| Authors: | Лигуз, Н. В.
Гаркуша, Н. А.
Liguz, N. V.
Garkusha, N. A. |
| Keywords: | полупроводники
проводимость
диоды
электроны
дырки
p-n-переход
semiconductors
conductivity
diodes
electrons
holes
p-n junction |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Кафедра иностранных языков и межкультурной профессиональной коммуникации естественнонаучных направлений Тюменского государственного университета |
| Citation: | Лигуз, Н. В. Electrical conductivity of semiconductors = Электропроводность полупроводников / Н. В. Лигуз, Н. А. Гаркуша. — Текст : электронный // Language & Science / главный редактор О. Э. Сухарева ; научный редактор Е. А. Меньш ; Тюменский государственный университет. — 2018. — № 7. |
| Abstract: | Основная цель данной статьи – изучить структуру и свойства полупроводников на молекулярном уровне. В тексте рассматриваются условия для возникновения проводимости, влияние внешних факторов на связи в кристаллической решётке. Описана работа p-n перехода.
The main purpose of this article is to study the structure and properties of semiconductors at the molecular level. The conditions for the occurrence of conductivity and the influence of external factors on the bonds in the crystal lattice are considered in the text. The work of p-n transition is described. |
| URI: | https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/21379 |
| Source: | Language & Science. – 2018. – № 7 |
| Appears in Collections: | Language & Science
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Skip navigation