Title: | Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессора |
Other Titles: | Logical commutator and a storage device based on memristor cells for electrical circuits of neuroprocessor |
Authors: | Maevsky, O. V. Pisarev, A. D. Busygin,A. N. Udovichenko, S.Yu. Маевский, О. В. Писарев, А. Д. Бусыгин, А. Н. Удовиченко, С. Ю. |
Keywords: | programmable logic array non-volatile memory neuroprocessor storage device commutator logic circuit memristor запоминающее устройство коммутатор логическая схема мемристор энергонезависимая память программируемая логическая матрица нейропроцессор |
Issue Date: | 2016 |
Publisher: | Издательство Тюменского государственного университета |
Citation: | Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессора / О. В. Маевский [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика / главный редактор А. Б. Шабаров. – Тюмень : Издательство Тюменского государственного университета, 2016. – Т. 2, № 4. – С. 100-111. |
Abstract: | The topology and the circuit diagram of memristor cells obtained by integrating memristor, diodes and CMOS platform are presented. Such cells can be used as a commutator for logic elements and storage devices that allows to create a microcontroller and a neuroprocessor with non-volatile memory, high performance and low power consumption. The substitution in logic field-effect transistors to memristor significantly reduces the area of active elements on the chip of the microcontroller and simplifies circuit programming. Представлены топология и электрические схемы ячеек на основе мемристоров, полученных путем интеграции мемристоров, диодов и КМОП платформы. Такие ячейки предлагается использовать в качестве коммутатора логических элементов и в запоминающем устройстве, которые позволяют создать микроконтроллер и нейропроцессор с энергонезависимой памятью, высоким быстродействием и малым энергопотреблением. При этом замена в логических схемах полевых транзисторов на мемристоры существенно уменьшает площадь активных элементов на кристалле микроконтроллера и упрощает цепи программирования. |
URI: | https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/15127 |
ISSN: | 2500-0888 2411-7927 |
Source: | Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2016. – Т. 2, № 4 |
Appears in Collections: | Вестник ТюмГУ: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.