Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 10 (Search time: 0.003 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
Issue DateTitleAuthor(s)
2016Особенности моделирования работы биоморфной нейросети на электронном устройстве с энергонезависимой памятью и низким потреблением энергииBusygin, A. N.; Kuzmenko, A. Yu.; Pisarev, A. D.; Filippov, V. A.; Бусыгин, А. Н.; Кузьменко, А. Ю.; Писарев, А. Д.; Филиппов, В. А.
2017Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройстваPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2019Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессореBobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. H.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х.
2019Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара – основы аппаратной реализации нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Ebrahim, A. H.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Ибрагим, А. Х.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2020Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2021Численное моделирование и экспериментальное исследование аппаратной импульсной нейросети с мемристорными синапсамиBusygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Pisarev, A. D.; Udovichenko, S. Yu.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Писарев, А. Д.; Удовиченко, С. Ю.
2021Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипаSozonov, M. V.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Kislitsyn, A. A.; Созонов, М. В.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Кислицын, А. А.
2022Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионовИбрагим, А. Х. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ebrahim, A. Kh. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2020Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. Kh. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х. А.; Удовиченко, С. Ю.
2023Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристораИбрагим, А. Х. А.; Губин, А. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ibragim, A. Kh. A.; Gubin, A. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.