1. Репозиторий ТюмГУ

Просмотр собрания по группе - Тема вольт-амперная характеристика

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 6 из 6
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2025Вычислительная эффективность моделей мемристора в задаче моделирования синаптического массива аппаратной спайковой нейросетиБусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2020Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2023Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристораИбрагим, А. Х. А.; Губин, А. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ibragim, A. Kh. A.; Gubin, A. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2022Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионовИбрагим, А. Х. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ebrahim, A. Kh. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2020Математическое моделирование резистивных состояний и динамического переключения мемристора на основе оксида металлаEbrahim, A. H.; Udovichenko, S. Yu.; Ибрагим, А. Х.; Удовиченко, С. Ю.
2024Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристораБусыгин, А. Н.; Габдулин, Б. Х.; Удовиченко, С. Ю.; Шулаев, Н. А.; Писарев, А. Д.; Ибрагим, А. Х. А.; Busygin, A. N.; Gabdulin, B. H.; Udovichenko, S. Yu.; Shulaev, N. A.; Pisarev, A. D.; Ebrahim, A. H. A.
Результаты 1 по 6 из 6