Просмотр собрания по группе - Тема мемристор

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 12 из 12
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2018SPICE-моделирование процессов ассоциативного самообучения и безусловного разобучения в логическом блоке нейропроцессораPisarev, A. D.; Писарев, А. Д.
2019Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара – основы аппаратной реализации нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Ebrahim, A. H.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Ибрагим, А. Х.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2017Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройстваPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2023Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристораИбрагим, А. Х. А.; Губин, А. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ibragim, A. Kh. A.; Gubin, A. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2016Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессораMaevsky, O. V.; Pisarev, A. D.; Busygin,A. N.; Udovichenko, S.Yu.; Маевский, О. В.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2020Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. Kh. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х. А.; Удовиченко, С. Ю.
2024Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристораБусыгин, А. Н.; Габдулин, Б. Х.; Удовиченко, С. Ю.; Шулаев, Н. А.; Писарев, А. Д.; Ибрагим, А. Х. А.; Busygin, A. N.; Gabdulin, B. H.; Udovichenko, S. Yu.; Shulaev, N. A.; Pisarev, A. D.; Ebrahim, A. H. A.
2019Реализация дискретного косинусного преобразования во входном блоке мемристорного нейропроцессораPisarev, A. D.; Писарев, А. Д.
2015Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозгаBobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2021Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипаSozonov, M. V.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Kislitsyn, A. A.; Созонов, М. В.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Кислицын, А. А.
2019Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессореBobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. H.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х.
2019Энергоэффективное биоморфное импульсное кодирование информации в электронных нейронах для входного блока нейропроцессораPisarev, A. D.; Писарев, А. Д.