Просмотр собрания по группе - Авторы Бусыгин, А. Н.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 15 из 15
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2025Влияние процессов генерации и рекомбинации кислородных вакансий и ионов на тепломассоперенос и электрофизические свойства металлооксидного мемристораГабдулин, Б. Х.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Gabdulin, B. Kh.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2019Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорного-диодного кроссбара – основы аппаратной реализации нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Ebrahim, A. H.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Ибрагим, А. Х.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2025Вычислительная эффективность моделей мемристора в задаче моделирования синаптического массива аппаратной спайковой нейросетиБусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2020Исследование электрофизических свойств комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой для аппаратной реализации биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Удовиченко, С. Ю.
2017Комбинированный мемристорно-диодный кроссбар как основа запоминающего устройстваPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2023Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристораИбрагим, А. Х. А.; Губин, А. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ibragim, A. Kh. A.; Gubin, A. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2016Логический коммутатор и запоминающее устройство на основе мемристорных ячеек для электрической схемы нейропроцессораMaevsky, O. V.; Pisarev, A. D.; Busygin,A. N.; Udovichenko, S.Yu.; Маевский, О. В.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.
2022Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионовИбрагим, А. Х. А.; Бусыгин, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Ebrahim, A. Kh. A.; Busygin, A. N.; Udovichenko, S. Yu.
2020Моделирование процессов декодирования информации в выходном устройстве биоморфного нейропроцессораPisarev, A. D.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. Kh. A.; Udovichenko, S. Yu.; Писарев, А. Д.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х. А.; Удовиченко, С. Ю.
2024Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристораБусыгин, А. Н.; Габдулин, Б. Х.; Удовиченко, С. Ю.; Шулаев, Н. А.; Писарев, А. Д.; Ибрагим, А. Х. А.; Busygin, A. N.; Gabdulin, B. H.; Udovichenko, S. Yu.; Shulaev, N. A.; Pisarev, A. D.; Ebrahim, A. H. A.
2016Особенности моделирования работы биоморфной нейросети на электронном устройстве с энергонезависимой памятью и низким потреблением энергииBusygin, A. N.; Kuzmenko, A. Yu.; Pisarev, A. D.; Filippov, V. A.; Бусыгин, А. Н.; Кузьменко, А. Ю.; Писарев, А. Д.; Филиппов, В. А.
2021Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипаSozonov, M. V.; Busygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Kislitsyn, A. A.; Созонов, М. В.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Кислицын, А. А.
2019Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессореBobylev, A. N.; Udovichenko, S. Yu.; Busygin, A. N.; Ebrahim, A. H.; Бобылев, А. Н.; Удовиченко, С. Ю.; Бусыгин, А. Н.; Ибрагим, А. Х.
2021Численное моделирование и экспериментальное исследование аппаратной импульсной нейросети с мемристорными синапсамиBusygin, A. N.; Bobylev, A. N.; Gubin, A. A.; Pisarev, A. D.; Udovichenko, S. Yu.; Бусыгин, А. Н.; Бобылев, А. Н.; Губин, А. А.; Писарев, А. Д.; Удовиченко, С. Ю.
2017Электрические схемы и топология ячеек памяти на базе мемристоров для сверхбольших матрицУдовиченко, С. Ю.; Бусыгин, А. Н.